陶瓷霧化片 Atomization Piece
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壓控溫補晶振 壓控溫補晶振
恒溫晶振 恒溫晶振
差分晶振 差分晶振
32.768K有源晶振 32.768K有源晶振
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晶體Model636,西迪斯SMD晶體,有源晶振5032
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晶體Model636,西迪斯SMD晶體,有源晶振5032的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發(fā)射基站.

型號 | model636 | ||||
工作模式 | 基本 | 第三次泛音 | |||
頻率范圍 | 1~160MHZ | ||||
水晶切割 | AT截法 | ||||
頻率公差@ 25°C | ±10ppm, ±15ppm, ±20 ppm, ±30 ppm, ±50 ppm | ||||
頻率穩(wěn)定度公差1 (工作溫度范圍,引用到25°C閱讀) |
±15 ppm, ±20 ppm, ±30 ppm, ±50 ppm, ±100 ppm |
||||
工作溫度范圍1 |
-40°C to +85°C [All Stability Codes] -40°C to +105°C [Stability Code 3, 5, 6] -40°C to +125°C [Stability Code 5, 6] |
||||
等效串聯電阻 | 8.000 MHz - 9.999 MHz | 150 Ohms maximum | |||
24.000 MHz - 53.999 MHz | 150 Ohms maximum | ||||
54.000 MHz - 120MHZ | 100 Ohms maximum | ||||
10.000 MHz - 15.999 MHz | 60 Ohms maximum | ||||
16.000 MHz - 40.000 MHz | 50 Ohms maximum | ||||
負載電容或共振模式(見訂購信息更多的選項) | 10pF, 12pF, 16pF, Series standard | ||||
Capacitance(Shunt詳細) | 3.0 pF typical, 5.0 pF maximum | ||||
激勵功率 | 10 μW typical, 100 μW maximum | ||||
老化@ + 25°C | ±5 ppm/yr maximum | ||||
絕緣電阻(@直流100 v) |
500M Ohms minimum | ||||
儲存溫度范圍 | -40°C to +125°C | ||||
回流條件下,按JEDEC j - std - 020 |
+260°C maximum, 10 Seconds maximum |
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產品的可靠性(信賴性):
產品的可靠性可以通俗的理解為:產品生產完成后,不會因常規(guī)的搬運,儲存而使其性能受影響,不會因客戶的焊接,清洗和封裝等各種使用條件而影響性能.產品的可靠性可以通過各種可靠性試驗來衡量,目前常見的可靠性試驗有:
高溫儲存試驗 125℃±10℃;1000H±24H
溫度循環(huán)試驗 T1 = -55℃±10℃ T2= 125℃±10℃;循環(huán)次數10次.(溫度轉換約30分鐘)
溫度沖擊試驗 T1 = -55℃±10℃ T2= 125℃±10℃;循環(huán)次數10次.(溫度轉換時間5秒)
恒溫恒濕試驗 TC 85±10℃ H 85% ;1000H±24H
可焊性(焊錫)試驗 230±10℃;3 s
耐焊接試驗 260±10℃;10 s
跌落試驗 75 cm;3 次.
振動試驗 頻率10 Hz — 2000 Hz;振幅 1.5 mm;每方向 40 分鐘.
老化率試驗 TC 85±10℃;300 H
壽命試驗(MTBF);85℃or125℃;1000H;利用公式及失效產品數計算出產品模擬壽命.
跌落試驗考察產品受機械力沖擊時的耐受情況,跌落試驗不合格應分兩各情況來處理,一是芯片破裂造成不良(高頻),應檢查導電膠選用是否正確(較柔),底膠是否足夠,芯片在搭載時是否過低;另一各情況是脫膠,或稱膠點松動,應檢查烤膠工藝是否有問題,芯片上下膠量是否足夠,上下膠連接處膠量是否飽滿.
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