陶瓷霧化片 Atomization Piece
陶瓷晶振 Ceramic SMD crystal
陶瓷濾波器 CeramicFilter
聲表面濾波器|諧振器 SAW filter
千赫晶體KHZ KHz Crystal
石英晶振 Quartz Crystal
貼片晶振 SMD crystal
NJR晶振
應(yīng)達利晶振
日本大真空晶體 KDS晶振
精工晶振 SEIKO晶體
日本村田陶瓷晶振
西鐵城晶振 CITIZEN晶振
愛普生晶振 EPSON晶振
NSK晶振 NSK晶振
大河晶振 大河晶振
CTS晶振 美國CTS晶振
TXC晶振 TXC晶振
鴻星晶振 鴻星晶振
加高晶振 加高晶振
百利通亞陶晶振 百利通亞陶晶振
泰藝晶振 泰藝晶振
京瓷晶振 京瓷晶振
NDK晶振 NDK晶振
希華晶振 希華晶振
富士晶振 富士晶振
MERCURY晶振
NAKA晶振
SMI晶振
安基晶振
NKG晶振
Renesas瑞薩晶振
ITTI晶振
CTS晶振
Abracon晶振
微晶晶振
瑞康晶振
FOX晶振
Statek晶振
ECS晶振
IDT晶振
高利奇晶振
SiTime晶振
日蝕晶振
康納溫菲爾德晶振
Jauch晶振
維管晶振
拉隆晶振
格林雷晶振
Pletronics晶振
AEK晶振
AEL晶振
Cardinal晶振
Crystek晶振
Euroquartz晶振
Frequency晶振
GEYER晶振
ILSI晶振
KVG晶振
MMDCOMP晶振
MtronPTI晶振
QANTEK晶振
QuartzCom晶振
QuartzChnik晶振
SUNTSU晶振
Transko晶振
WI2WI晶振
韓國三呢晶振
ARGO晶振
ACT晶振
Milliren晶振
韓國Lihom晶振
rubyquartz晶振
美國Oscilent晶振
韓國SHINSUNG晶振
PDI晶振
C-TECH晶振
IQD晶振
Microchip晶振
Fortiming晶振
CORE晶振
NIPPON晶振
NIC晶振
QVS晶振
Bomar晶振
Bliley晶振
GED晶振
FILTRONETICS晶振
STD晶振
Q-Tech晶振
Anderson晶振
Wenzel晶振
NEL晶振
EM晶振
德國PETERMANN晶振
荷蘭FCD-Tech晶體
HEC晶振
FMI晶振
Macrobizes晶振
德國AXTAL晶振
Silicon晶振
SKYWORKS晶振
石英晶體振蕩器 石英晶體振蕩器
壓控晶振 壓控晶振
溫補晶振 溫補晶振
壓控溫補晶振 壓控溫補晶振
恒溫晶振 恒溫晶振
差分晶振 差分晶振
32.768K有源晶振 32.768K有源晶振
座機: 0755-27876565
手機: 18924600166
E-mail:yijindz@163.com
QQ:857950243
地址:深圳市寶安區(qū)新安107國道旁甲岸路
企業(yè)博客
更多>>振蕩器model585,美國TCXO晶體,西迪斯晶振原裝正品
航欄(6).jpg)
振蕩器model585,美國TCXO晶體,西迪斯晶振原裝正品貼片石英有源晶振是指在普通無源晶體上增加了電壓,內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻,需要在凈化萬級車間生產(chǎn),并且在密封機器設(shè)備中焊接加蓋,內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.

參數(shù) | Model585晶振 | ||||
工作模式 | 基本 | 第三次泛音 | |||
頻率范圍 | 5~52MHZ | ||||
水晶切割 | AT截法 | ||||
頻率公差@ 25°C | ±10ppm, ±15ppm, ±20 ppm, ±30 ppm, ±50 ppm | ||||
頻率穩(wěn)定度公差1 (工作溫度范圍,引用到25°C閱讀) |
±15 ppm, ±20 ppm, ±30 ppm, ±50 ppm, ±100 ppm |
||||
工作溫度范圍1 |
-40°C to +85°C [All Stability Codes] -40°C to +105°C [Stability Code 3, 5, 6] -40°C to +125°C [Stability Code 5, 6] |
||||
等效串聯(lián)電阻 | 8.000 MHz - 9.999 MHz | 150 Ohms maximum | |||
24.000 MHz - 53.999 MHz | 150 Ohms maximum | ||||
54.000 MHz - 120MHZ | 100 Ohms maximum | ||||
10.000 MHz - 15.999 MHz | 60 Ohms maximum | ||||
16.000 MHz - 40.000 MHz | 50 Ohms maximum | ||||
負載電容或共振模式(見訂購信息更多的選項) | 10pF, 12pF, 16pF, Series standard | ||||
Capacitance(Shunt詳細) | 3.0 pF typical, 5.0 pF maximum | ||||
激勵功率 | 10 μW typical, 100 μW maximum | ||||
老化@ + 25°C | ±5 ppm/yr maximum | ||||
絕緣電阻(@直流100 v) |
500M Ohms minimum | ||||
儲存溫度范圍 | -40°C to +125°C | ||||
回流條件下,按JEDEC j - std - 020 |
+260°C maximum, 10 Seconds maximum |
.jpg)


.jpg)
產(chǎn)品的可靠性可以通俗的理解為:產(chǎn)品生產(chǎn)完成后,不會因常規(guī)的搬運,儲存而使其性能受影響,不會因客戶的焊接,清洗和封裝等各種使用條件而影響性能.產(chǎn)品的可靠性可以通過各種可靠性試驗來衡量,目前常見的可靠性試驗有:
高溫儲存試驗 125℃±10℃;1000H±24H
溫度循環(huán)試驗 T1 = -55℃±10℃ T2= 125℃±10℃;循環(huán)次數(shù)10次.(溫度轉(zhuǎn)換約30分鐘)
溫度沖擊試驗 T1 = -55℃±10℃ T2= 125℃±10℃;循環(huán)次數(shù)10次.(溫度轉(zhuǎn)換時間5秒)
恒溫恒濕試驗 TC 85±10℃ H 85% ;1000H±24H
可焊性(焊錫)試驗 230±10℃;3 s
耐焊接試驗 260±10℃;10 s
跌落試驗 75 cm;3 次.
振動試驗 頻率10 Hz — 2000 Hz;振幅 1.5 mm;每方向 40 分鐘.
老化率試驗 TC 85±10℃;300 H
壽命試驗(MTBF);85℃or125℃;1000H;利用公式及失效產(chǎn)品數(shù)計算出產(chǎn)品模擬壽命.
跌落試驗考察產(chǎn)品受機械力沖擊時的耐受情況,跌落試驗不合格應(yīng)分兩各情況來處理,一是芯片破裂造成不良(高頻),應(yīng)檢查導(dǎo)電膠選用是否正確(較柔),底膠是否足夠,芯片在搭載時是否過低;另一各情況是脫膠,或稱膠點松動,應(yīng)檢查烤膠工藝是否有問題,芯片上下膠量是否足夠,上下膠連接處膠量是否飽滿.
.jpg)
.jpg)


.jpg)
.jpg)
SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
電話:0755-27876565
手機:18924600166
QQ:857950243
郵箱:yijindz@163.com
網(wǎng)站:http://www.lbfp.com.cn
地址:廣東省深圳市寶安區(qū)新安107國道旁