次世代運(yùn)算能力
來源:http://www.lbfp.com.cn 作者:億金電子 2024年12月06
全球石英頻率控制元件解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商
希華晶體科技成立于1988年,專精于石英頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售。從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品,透過最佳團(tuán)隊(duì)組合及先進(jìn)之生產(chǎn)技術(shù),建立完整產(chǎn)品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補(bǔ)償晶振及電壓控制型產(chǎn)品等,以健全的供應(yīng)鏈系統(tǒng),為客戶提供全方位的服務(wù)。
產(chǎn)品應(yīng)用范圍包含行動(dòng)電話、平板電腦、衛(wèi)星通訊、車載系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)、個(gè)人電腦、無線通信及家用產(chǎn)品等,扮演基本信號(hào)源產(chǎn)生、傳遞、濾波等功能。持續(xù)致力于技術(shù)研究開發(fā)及品質(zhì)落實(shí)扎根,營運(yùn)據(jù)點(diǎn)遍布臺(tái)灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務(wù)予世界電子大廠。
隨著全球高效能運(yùn)算(HPC)持續(xù)發(fā)展,5G、物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、電動(dòng)車 (EV)、人工智慧 (AI)、和虛擬實(shí)境 (AR/VR) 等新興應(yīng)用不斷成長,云端運(yùn)算與資料流量呈指數(shù)型成長,對(duì)于資料中心的需求皆大幅增加。希華晶振提供高頻晶體振蕩器 (XO)、差分晶體振蕩器 (Differentail XO) 和壓控晶體振蕩器 (VCXO),并提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)頻率,例如122.88MHz、156.25MHz、以及212.5MHz。適用于如資料中心、伺服器、交換器、光模組、以及基地臺(tái)和存儲(chǔ)設(shè)備等應(yīng)用。

系列 | 尺寸 | 頻率 | 頻率穩(wěn)定性 | 溫度范圍 | 輸出 | 電源電壓 |
OSC02 | 1.6x1.2x0.7 | 5-60MHz |
±25ppm ±50ppm |
-40~+85℃ -40~+125℃ |
C-MOS | 1.8/2.5/3.3 |
OSCA2 | 2.0x1.6x0.85 | 1.5-80MHz |
±25ppm ±50ppm |
-40~+85℃ -40~+125℃ |
C-MOS | 1.8/2.5/3.3 |
OSC93 | 2.5x2.0x0.9 | 0.5-133MHz |
±25ppm ±50ppm |
-40~+85℃ -40~+125℃ |
C-MOS | 1.8/2.5/3.3 |
OSC81 | 3.2x2.5x0.9 | 0.5-156.25MHz |
±25ppm ±50ppm |
-40~+85℃ -40~+125℃ |
C-MOS | 1.8/2.5/3.3 |
OSC8A | 3.2x2.5x0.9 | 13.5-200MHz |
±25ppm ±50ppm |
-40~+85℃ -40~+125℃ |
LVPECL | 2.5/3.3 |
OSC8A | 3.2x2.5x0.9 | 13.5-200MHz |
±25ppm ±50ppm |
-40~+85℃ -40~+125℃ |
LVDS | 2.5/3.3 |
OSC8A | 3.2x2.5x0.9 | 13.5-200MHz |
±25ppm ±50ppm |
-40~+85℃ -40~+125℃ |
HCSL | 2.5/3.3 |
OSC7E | 5.0x3.2x1.0 | 13.5-156.25MHz |
±25ppm ±50ppm |
-40~+85℃ -40~+125℃ |
LVPECL | 2.5/3.3 |
OSC7E | 5.0x3.2x1.0 | 13.5-156.25MHz |
±25ppm ±50ppm |
-40~+85℃ -40~+125℃ |
LVDS | 2.5/3.3 |
OSC7E | 5.0x3.2x1.0 | 13.5-156.25MHz |
±25ppm ±50ppm |
-40~+85℃ -40~+125℃ |
HCSL | 2.5/3.3 |
OSC81 | 3.2x2.5x0.9 | 10-50MHz |
±50ppm ±100ppm |
-40~+105℃ -40~+125℃ |
C-MOS | 1.8/2.5/3.3 |
OSCA2 | 2.0x1.6x0.85 | 10-50MHz |
±50ppm ±100ppm |
-40~+105℃ -40~+125℃ |
C-MOS | 1.8/2.5/3.3 |
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